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Celdas Solares de Silicio Cristalino con PEDOT:PSS y V2O5 como Contactos Selectivos Frontales y Eficiencias de 11-15% (Trabajo presentado en Innovation Match Mx 2016) - RIIIT
Celdas Solares de Silicio Cristalino con PEDOT:PSS y V2O5 como Contactos Selectivos Frontales y Eficiencias de 11-15% (Trabajo presentado en Innovation Match Mx 2016)
En este trabajo se fabricaron celdas solares de silicio cristalino (c-Si) tipo n con dos
materiales alternativos selectivos tipo p: pentóxido de vanadio (V 2 O 5 , película de 15 nm de
grosor) evaporado térmicamente y poli(3,4-etilen- dioxitiofeno)-poliestirenosulfonato
(PEDOT:PSS, 70 nm) depositado por solución, utilizados como contactos frontales. La
resistencia cuadro y resistividad de contacto de estos materiales fueron obtenidas a partir del
método de longitud de transferencia. Para la capa de PEDOT:PSS, la resistencia cuadro
medida fue de 180 Ω/sq y comparable a aquella del Óxido de Indio-Estaño (ITO), lo que
permitió utilizarla además como electrodo colector en una celda libre de ITO. Se midieron
voltajes de circuito-abierto (V OC ) de 570 y 611 mV para las heterouniones de PEDOT:PSS/c-
Si y V 2 O 5 /c-Si, con eficiencias de conversión de 11.7% y 14.9% respectivamente. Dado que
estos materiales alternativos son depositados a menor temperatura y/o sin requisitos de
vacío, en comparación con los procesos tradicionales de dopado, se podrían reducir los
costos si son implementados como sustitutos a las capas dopadas utilizadas en la fotovoltaica
de silicio cristalino.
Palabras Clave: contacto selectivo, heterounión de silicio, pentóxido de vanadio, PEDOT:PSS.
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