Binary file ./template_functions.inc.php matches PV module defects detection, a study using electroluminescence, infrared thermal imaging and IV curves analysis. Trabajo presentado IMMX 2016 - RIIIT

ISSN: 2007-9753
Latindex Folio: 23614

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PV module defects detection, a study using electroluminescence, infrared thermal imaging and IV curves analysis. Trabajo presentado IMMX 2016

Algunos defectos pueden surgir posterior a la compra de un módulo fotovoltaico (FV). Un sistema FV con módulos dañados puede resultar en la degradación acelerada de componentes del sistema. Las técnicas de caracterización fungen como valiosas herramientas de evaluación y detección de defectos. En este estudio se llevó a cabo el monitoreo de módulos FV utilizando electroluminiscencia (EL), termografía infrarroja (TIR) y rastreo de curvas IV. Estas técnicas son herramientas útiles para obtener información substancial de manera rápida y sencilla para determinar los defectos presentes en un módulo o generador fotovoltaico. En algunos casos, es posible determinar cómo surgieron estos defectos. Este estudio tiene como objetivo encontrar las principales ventajas de cada una de las técnicas de caracterización mencionadas, además de establecer el modo más eficiente para utilizarlas dependiendo de las condiciones en las que se encuentre el sistema FV que será analizado. El análisis de las imágenes de EL correspondientes a módulos envejecidos de CdTe mostró una reducción del nivel de brillo del 73 % respecto a módulos nuevos, efecto correspondiente a la degradación inducida por luz solar. La TIR mostró que algunas áreas de un módulo FV de silicio monocristalino (sc-Si) en condiciones al aire libre presentan un incremento de 30 °C cuando parte de éste se encuentra bajo sombra. Igualmente, cuando polarización directa es aplicada a módulos FV de CdTe, las diferencias de temperatura en el módulo fueron de 5 °C. Finalmente, los coeficientes de temperatura de estos módulos se compararon con los correspondientes en la hoja técnica. El coeficiente de temperatura para voltaje se redujo de -0.24 %/°C a -0.26 %/°C, y el de corriente aumentó de +0.002 %/°C a +0.0054 %/°C. Se concluyó que TIR es la técnica más rápida, EL la más exacta para identificar defectos específicos, y el rastreo de curvas IV es el más preciso para obtener datos cuantitativos.
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